Динамо-машины  Статические характеристики элементов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 [ 87 ] 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127

Учитывая, что соотношение для токов транзистора (см. рис. 151) имеет следующий вид:

/. = / laquo;+/б

и (302)

Iк ~ 1вЫХ1 Iб~ Iвх, .

получим

иех=(Гб+Гэ)1вх + Ывых; j

Ueux = (Гэ - Г г) lex + (г к + Г- / gt;) I вых- J

Сопоставляя уравнения (303) с уравнениями четырехполюсника (294), получим уравнения связи между параметрами транзистора, согласно схеме замещения, и параметрами транзистора как четырехполюсника при включении транзистора по схеме с общим эмиттером:

11.э = б ~Ь Iai f 12э - gt;з,

1-213 = Гэ - Г/, /-225 = и + Гэ - г г- (304)

Аналогичным образом можно получить уравнения связи для других видов включения транзистора. Для схемы с общей базой будем иметь

нб =6+э; ]2б = б;

-216 = б + Гг\ -226 =Гк+Гб (305)

и для схемы с общим коллектором

нк = б + fi2K = fK - f/,

Г21К = г к, t-22K ==Гк-~Гг-\- г,- (306)

Поэтому, измерив параметры транзистора как четырехполюсника при любой из схем включения (например, Гц и используя соотношение (304)-(306), можно вначале определить параметры транзистора rg, / , t\ и затем определить параметры транзистора как четырехполюсника для других схем включения {Гц, Гц,.

Пользуясь уравнениями связи (304)-(306) и выражениями (296)-(301), нетрудно вывести соотношения между параметрами усилительной схемы с транзистором (*C, Ге, Ко, feux) и собственными параметрами транзистора.

Так, для схемы с общим эмиттером имеем

f( -

ГЗ {гг, + Гк) л- Гб {Гк - Гг) + Rh {Гэ + Гб) -Гз-Гг+f

{Гэ - Гг) Rh

Гк+Гз-Гг+R,

Ги {гк + Гэ - Гг) + Гз {гб + Гк) + gt;б {Гк - Гг) + Rh {Гэ + Гб + Гц) Гз {Гк + б) + Гб {гк - Гг) + Ги {Гк + Гэ - Гг)

Гб+Гэ + Ги

Большое распространение имеет другой вариант схемы замещения в системе г-параметров: схема с генератором тока, в которой четвертым параметром триода вместо сопротивления г, является коэффициент усиления по току, определяемый для схемы с общей базой:

а = - при f/ laquo; = 0, (308)

т. е. при короткозамкнутой выходе.

Из схемы, показанной на рис. 159, а, нетрудно определить коэффициент усиления по току как отношение выходного тока к входному и связать параметр а с параметром г/.

а = Гй plusmn;1. (309)

Гб + Гк

В результате экспериментальных исследований установлено, что всегда выдерживаются следующие соотношения:

Поэтому выражение (309) для а принимает следующий вид:

и при расчете усилительных схем обычно пользуются следующими выражениями:

1-а+ laquo;

г.,-]-гб{\-а) + (г+Гб)

г - rji

Ке. = --. (310)

Геэ-1к Гб-ГэЛ-Га

а в случае часто встречающихся соотношений

Rh с г к, Ги € г к

упрощенными выражениями:

Гэ-\-Гб(\-а) . Гехз \ - а

При введении отрицательной обратной связи путем включения резистора с сопротивлением г. в цепь эмиттера приведенные выражения сохраняют справедливость, если в них подставлять вместо Гэ величину (г? + г.

16. ОСОБЕННОСТИ АНАЛИТИЧЕСКОГО РАСЧЕТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ

В фазочувствительных полупроводниковых усилителях, как и в ламповых фазочувствительных усилителях, выходной величиной является постоянная составляющая напряжения на нагрузке. Поэтому в этом расчете в отличие от ранее рассмотренных случаев приходится учитывать не переменную составляющую выходного тока, накладывающуюся на ток покоя, соответствующий выбранной величине смещения и а полные мгновенные значения токов в импульсах. Широкие пределы изменения величины этих токов сопровождаются и значительными изменениями параметров схем замещения усилителей, причем числовые значения этих параметров для полных значений токов существенно отличаются от приведенных ранее данных. Таким образом, в данном случае, вообще говоря, требуется нелинейная схема замещения.

Однако с учетом соотношения параметров самого транзистора и параметров других частей реальных усилительных схем и обязательного наличия стабилизирующих сопротивлений обратной связи в реальных усилительных схемах может быть использована упрощенная схема замещения транзистора в этом режиме с генератором тока, которая для варианта фазочувствительного усилителя с общим эмиттером (см. рис. 155, а) приводит к схеме замещения усилителя, показанной на рис. 160. При этом предполагается, что /? gt; Гдоп или усилитель работает на дифференциальные обмотки (см. п. 8, гл. IX). На этом основании в схеме обозначено Гвоп = R,r

Разумеется, эта схема справедлива только для проводящего полупериода. Допущения, сделанные при переходе к упрощенной схеме замещения транзистора, следующие:

/-6 = 0; Гэ = 0; /- = 00. (312)

Кроме того, пренебрегают начальным током коллектора Т. е. вместо соотношения (288) запишем

i = ais, (313)

Рис. 160. Упрощенная Т-образная схема замещения транзисторного фазочувствительного усилителя для проводящего полупериода