Динамо-машины  Статические характеристики элементов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 [ 92 ] 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127

где А - коэффициент усиления каждого каскада по току с учетом делитеяей;

Rck Rk

Р - коэффициент усиления каскада по току в схеме с общим эмиттером.

При дальнейшем уменьшении отрицательного потенциала U, сопротивление схемы между точками аб становится отрицательным ( область характеристики на рис. 169, б).

Предположим, что приращение напряжения t/ составит AUk, это приведет к приращению коллекторного тока транзистора Т , равному

Мк = р = PV Мк, = PY ДЦ - PV = РЛ -,

где Y - коэффициент обратной связи, показывающий, какая доля коллекторного тока одного транзистора ответвляется в базу другого транзистора;

R6K + Rk

(опрокидывание фазы транзисторами учтено принятыми направлениями токов).

Суммарное приращение тока

в результате для обеспечения отрицательного динамического сопротивления участка характеристики необходимо, чтобы

рл gt; 1.

Абсциссу точки В вольт-амперной характеристики, в которой транзистор Ti закрывается и сопротивление схемы относительно точек аб становится положительным, определим из условия

Еб UkB 7 Ж ~ R6K~ о

откуда

UkbRok -Ч) а ордината точки В равна

1а +

UkA - UkB

MJk Ai

= л--(Р-1)(--Ч)

При достаточно малой величине напряжения Uk lt;zVkb сопротивление схемы относительно точек аб достаточно велико и определяется параллельно соединенными сопротивлениями выходного резистора транзистора : и суммой Rg + Rg (область / характеристики на рис. 169, б).

При небольшом отрицательном напряжении (порядка

0,1 в) транзистор Ti попадает в область насыщения и сопротивление схемы относительно точек аб резко уменьшается (область IV), т. е. можно считать, что в этой области вольт-амперная характеристика совпадает с осью ординат.

Для получения схемы бесконтактного полупроводникового реле необходимо в цепь коллектора То включить нагрузку последовательно с источником питания, в качестве которого используют источник питания коллекторной цепи транзистора Т,.

Очевидно, для того чтобы имело место пересечение нагрузочной прямой с полученной вольт-амперной характеристикой в трех точках, необходимо удовлетворить следующее равенство:

- 1

Кроме соответствующего наклона нагрузочной прямой (см. п. 4, гл. II), для получения двух устойчивых состояний схемы важно взаимное расположение линии нагрузки и вольт-амперной характеристики, определяемое напряжением питания (рис. 169).

Схема триггера (рис. 170) полностью аналогична структуре соответствующей схемы с электронными лампами.

Однако благодаря специфическим особенностям транзисторов расчет параметров схемы бесконтактного полупроводникового реле существенно отличается от расчета триггера на электронных лампах.

Выведем условия, которым должны удовлетворять параметры схемы для обеспечения двух устойчивых состояний триггера. При этом допустим, что транзистор Т, закрыт и отрицательный потенциал его коллектора близок к Е, вследствие этого ток базы транзистора Тг, протекающий через сопротивление обратной связи RgK, переводит транзистор Т2 в режим насыщения.

Так как потенциал коллектора насыщенного триода близок к нулю, то на базу транзистора Т, через сопротивление цепи смещения Rg подается положительное напряжение, которое обеспечивает запирание первого транзистора.

Рассматривая насыщенный транзистор Т2 как точку с нулевым потенциалом, а вход закрытого транзистора Т, как генератор

тока (рис 171, а), получим следующее выражение для потенциала базы закрытого транзистора:

R6K + R6

laquo; RoK + Re

Очевидно, что транзистор закрыт, если V О, т. е. если

f г-1 Ее.

/к или Rf

Таким образом, ток короткого замыкания генератора с э. д. с. и сопротивлением, равным сопротивлению цепи смещения R, должен превышать неуправляемый ток коллектора / .

Рис. 170. Схема симметричного транзисторного триггера

Рис. 171. Схемы замещения:

а - транзистор Т. закрыт; б - транзистор Ti закрыт

Полагая потенциал базы открытого транзистора равным нулю (рис. 171, б), для тока базы открытого транзистора будем иметь следующее выражение:

Rck + Rk R6k + Rk Re

Для стабилизации амплитуды выходных импульсов по отношению к изменениям температуры необходимо, чтобы IkJRk С В, тогда вторым членом в последнем выражении можно пренебречь.

Условие насыщения транзистора записывается в следующем виде:

Кб1/б = / laquo;я/Р.

где I/б I - абсолютная величина тока, вытекающего из базы транзистора типа р-п-р или втекающего в базу транзистора типа п-р-п;

Iкн - ток насыщения коллектора;

/б - ток насыщения базы.