www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе |
Динамо-машины Однокристальные микроконтроллеры
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63
Внутреннее устройство микросхемы TDA1551Q показано на рис. 3.35. Основные параметры микросхемы, необходимые для проектирования, приведены в табл. 3.14.
mute
вых. каскад
шина
5 J3 10
7 11
Рис. 3.35. Внутреннее устройство
Таблица 3.14
Параметр технических условий | Символ | Мин. | Норма | Макс. | Ffl. ИЗМ.j |
Напряжение питания | 14,4 | b i! | |||
Неповторяющийся пиковый выходной ток | - - | ||||
. Повторяющийся пиковый выходной ток | A 1 | ||||
Диапазон температур хранения | -H50 | c 1 | |||
Рабочая температура кристалла | + 150 | c i | |||
Общая тепловая рассеиваемая мощноаь | P,o, | Вт ! | |||
j Тепловое сопротивление laquo;кристалл-корпус raquo; | К/Вт I | ||||
j Тепловое сопротивление laquo;кристалл-среда raquo; (без радиатора) | k/bt i | ||||
мостовое включение | |||||
Выходная мощность: THD = 0,5% THD= 10% | |||||
i Общие гармонические искажения (вых. мощ-i ность 1 Вт) | 0,05 | t - | |||
Полоса воспроизводимых частот (по уровню -1дБ) | 20 000 | ||||
Коэффициент усиления | дБ i | ||||
Входной импеданс | |||||
1 Разделение каналов | |||||
Порог срабатывания детектора гармонических искажений | |||||
Небаланс каналов | Z -~ | ||||
одиночное включение | |||||
j Выходная мощность: 1 THD = 0,5% THD=10% | |||||
Общие гармонические искажения (вых. мощ-i ность 1 Вт) | 0,05 | ||||
Нижняя воспроизводимая частота (по уровню -ЗдБ) | |||||
Верхняя воспроизводимая частота (по уровню -1 дБ) | high |
Окончание таблицы 3.14
jl Параметр технических условий
[l Коэффициент усиления
ji Входной импеданс I Разделение каналов
Небаланс каналов
Параметры интерфейса IC
Символ | Мин. | Норма | Макс. | Ед. изм. 1 |
дБ 1 | ||||
------------- | дБ i |
Входной сигнал высокого уровня Входной сигнал низкого уровня
Выходной сигнал низкого уровня
Срабатывание схемы внутреннего сброса;
1,5 0,4
1 старт окончание | |||||
Standby (вывод 9) | Vh,gh |
Как видно нз рнс. 3.35, микросхема состоит из четырех идентичных усилителей с .дифференциальными входны.ми каскадами, один из которых является инвертирующим, а второй - неинвертирующим. Как известно, для обеспечения нормальной работы любого -мемента необходимо рассчитать его тепловой режим, принять меры к рассеянию излишней тепловой М0Щ1ЮСТИ. Например, в книге [3] приводится вариант такого теплового расчета. Собственно, нуж1Ю проверить необходимость проектирования теплоотводящего радиатора и рассчитать его габариты, выбрать котютруктивное исполнение. Фирменная документация имеет все необходимые данные для расчета. Для удобства разработчика приводятся размеры теплоогводящей поверхности (рис. 3.36, а) и внутреннее распределение тешювых сопротивлений между геплоотводящей поверхностью и выводами микросхем (рис. 3.36, б).
Теперь разберемся, как управлять режимами микросхемы и как получать информацию о ее внутреннем состоянии. Мы уже неодно-крагно говорили, что laquo;общение raquo; с микросхемой происходит программно. Обратите внимание на рис. 3.37: по шине ГС передается фиксированный slave-адрес микросхемы, а также единственное слово данных (DATA). УcJювиe laquo;КУ\У raquo;, как обычно, отражает режим записи/чтения.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 |