www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе |
Динамо-машины Моделирование транзисторов
1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
з.ви
RC=0.:5
RC=0.1
RC=0.05
1. Из библиотеки моделей MOSFET транзисторов фирмы IR выбирается транзистор, характеристики заряда затвора которого наиболее точно соответствуют аналогичным характеристикам IGBT. Таким транзистором является проверенный нами в предыдущем разделе IRF640. На рис.5, приведена реальная и промоделированная зависимость заряда затвора от напряжения на затворе.
2. В описании модели IRF640 необходимо исключить диод D1.
3. Большинство характеристик биполярного транзистора, принятых в Pspice по умолчанию, подходят для данной модели. Для настройки нам могут понадобиться следующие пара -метрь1:
ISE - обратный ток эмиттерного перехода (влияет на напряжение насыщения Von);
RC - Объемное сопротивление коллектора (влияет на напряжение насыщения Von);
TRC1 - Температурный коэффициент RC
TF - Время переноса заряда (влияет на скорость включения/выключения).
4. Настраивается напряжение открытого транзистора Von. Для этого можно варьировать величину сопротивления R2, но в этом случае невозможно смоделировать температурную
Z.BU
1 пи
Рис.8
S.Ous
5.ZUS
S.bas
5.8US
6.Bus
Рис.9
зависимость напряжения насыщения. Поэтому R2 примем равным О.ОЮм, а изменение напряжения насыщения оттока коллектора зададим с помощью резистора RC. На рис.7 приведены графики зависимости напряжения насыщения от тока коллектора испытуемого транзистора (ток изменяется от 1А до ЗОА по оси X) при трех значениях резистора RC - 0.05, 0.1
COLLUC-CR
* i I EMITTER
I I I
.subckt IRGPC40f 12 3
XMl 5 2 6 -KFfi40
Rl 1 4 IDO
R2 5 4 lOm
Ql 6 J. ОТ
LE 3 6 I3n .ends
.MODEL ВТ гар;Т5Е=1р RC-0.1 ГР.С1=0.С02 TK-2MI
Литература
1. Силовые полупроводниковые приборы, Воронеж 1995. International Rectifier Перевод с английского
2. Н. Shichman, D.A.Hodges Modeling and simulation of insulated-gate field-effect transistor switching circuits/ IEEE Journal of Solid-State Circuits, SC-3. 285, sept.1968.
И 0.15 Ом. При RC=0.1Om, напряжение насыщения соответствует справочной величине 1.7В.
4. На рис.8 приведены те же зависимости, но при двух температурах кристалла - 7Ъ deg;С и 150Т. Эти кривые приближаются к требуемым с помощью коэффициента TRCl В нашем случае он равен 0.002.
5. При заданном значении резистора R1 (мы приняли его равным ЮООм) подбирается параметр TF по времени выключения транзистора (tf - Fall Time).
На рис. 9 приведены эпюры выключения при трех значениях параметра TF - ЮОр, 2п и 5п. Справочному значению 230нс соответствует TF=2n.
Таким образом описание макромодели транзистора IRGPC40F будет выглядеть следующим образом;
1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 |