www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Моделирование транзисторов 

1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

з.ви


RC=0.:5

RC=0.1

RC=0.05

1. Из библиотеки моделей MOSFET транзисторов фирмы IR выбирается транзистор, характеристики заряда затвора которого наиболее точно соответствуют аналогичным характеристикам IGBT. Таким транзистором является проверенный нами в предыдущем разделе IRF640. На рис.5, приведена реальная и промоделированная зависимость заряда затвора от напряжения на затворе.

2. В описании модели IRF640 необходимо исключить диод D1.

3. Большинство характеристик биполярного транзистора, принятых в Pspice по умолчанию, подходят для данной модели. Для настройки нам могут понадобиться следующие пара -метрь1:

ISE - обратный ток эмиттерного перехода (влияет на напряжение насыщения Von);

RC - Объемное сопротивление коллектора (влияет на напряжение насыщения Von);

TRC1 - Температурный коэффициент RC

TF - Время переноса заряда (влияет на скорость включения/выключения).

4. Настраивается напряжение открытого транзистора Von. Для этого можно варьировать величину сопротивления R2, но в этом случае невозможно смоделировать температурную



Z.BU

1 пи


Рис.8


S.Ous

5.ZUS

S.bas

5.8US

6.Bus

Рис.9

зависимость напряжения насыщения. Поэтому R2 примем равным О.ОЮм, а изменение напряжения насыщения оттока коллектора зададим с помощью резистора RC. На рис.7 приведены графики зависимости напряжения насыщения от тока коллектора испытуемого транзистора (ток изменяется от 1А до ЗОА по оси X) при трех значениях резистора RC - 0.05, 0.1



COLLUC-CR

* i I EMITTER

I I I

.subckt IRGPC40f 12 3

XMl 5 2 6 -KFfi40

Rl 1 4 IDO

R2 5 4 lOm

Ql 6 J. ОТ

LE 3 6 I3n .ends

.MODEL ВТ гар;Т5Е=1р RC-0.1 ГР.С1=0.С02 TK-2MI

Литература

1. Силовые полупроводниковые приборы, Воронеж 1995. International Rectifier Перевод с английского

2. Н. Shichman, D.A.Hodges Modeling and simulation of insulated-gate field-effect transistor switching circuits/ IEEE Journal of Solid-State Circuits, SC-3. 285, sept.1968.

И 0.15 Ом. При RC=0.1Om, напряжение насыщения соответствует справочной величине 1.7В.

4. На рис.8 приведены те же зависимости, но при двух температурах кристалла - 7Ъ deg;С и 150Т. Эти кривые приближаются к требуемым с помощью коэффициента TRCl В нашем случае он равен 0.002.

5. При заданном значении резистора R1 (мы приняли его равным ЮООм) подбирается параметр TF по времени выключения транзистора (tf - Fall Time).

На рис. 9 приведены эпюры выключения при трех значениях параметра TF - ЮОр, 2п и 5п. Справочному значению 230нс соответствует TF=2n.

Таким образом описание макромодели транзистора IRGPC40F будет выглядеть следующим образом;



1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31