www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Конструкции радиаторов, полупроводниковые диоды 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 [ 12 ] 13 14 15 16



Рис. 26. Радиаторы от металлокерамическпх ламп.

В ряде конструкции для охлаждения мощных диодов можно использовать радпачоры от металлокерамическпх ламп типов ПМ1, ГИ-12Б. ГИ-30, которые показаны на рнс. 26,

Конструкции радиаторов для маломощных полупроводниковых Нриборой

Применение дополпительных теплоотводов для маломощных йо-лупроводнпковы.ч приборов оправдано в ряде случаев, когда необходимо увеличить их надежность но тепловому рслспму. Кроме того, применение радиаторов позволяет увеличить мощность рассеяния маломощпы.ч транзисторов до 0,8-1,5 вт, а также увеличить токи маломощных полупроводниковых диодов в несколько раз.

Радиаторы для маломощных транзисторов п полупроводниковых диодов могут иметь самые разнообразные конструкции. Необходимо лишь, чтобы тепловое сопротивление с было минимальным. На рис. 27 показаны некоторые возмож11ые типы радирюроп дчч .маломощных транзисторов. Наиболее простыми являются радиаторы, изображенные на рис. 27, а и б. Для их изготовления пригодны медь, латунь, мягкая сталь и пр. толщиной 1-5 мм. На рнс. 27, в показан более сложный, но и более эффективный радиатор, изготавливаемый из алюминия или меди.

Для обеспечения хорошего теплового контакта между теплоотводом и полупроводниковым прибором с последнего необходимо удалить краску, если она есть, а в зону контакта ввести минеральное масло пли вазелин

Достаточно эффективные и простые радиаторы для маломощных полупроводниковых приборов можно изготовить пз листового алюминия толщиной 0,8-1,5 мм или меди толщиной 0,5-0,8 .мм. Предлагаемые радиаторы относятся к типу пластинчатых п позволяют получить мощность рассеяния до 1,5 вт применении транзисторов типов МП42Б, МП26Б и др. Однако не следует использовать маломощные транзисторы при мощности рассеяния свыше 500-700 мет, так как дальнейшее повышение рассеиваемой мощности резко снижает их надежность.



Заготовка для одного из вариантов теплоотвода показайа рнс. 28. Радиатор с указанными на чертеже размерами позволяс! рассеивать могцность до 600-800 лшт с транзисторами типа .МГИа




Рис. 27. Радиаторы для маломощных транзисторов.

Иа рис. 29 показаны транзисторы МП42Б и ГТ309Б, снабженные подобными радиаторами.

В конструкциях радиаторов, показанных на рис. 27, увеличение поверхности теплоотвода свыше 10 cjifi мало влияет на уменьшение



температуры перехода, так как тепловой поток от перехода проходит через сравнительно большое тепловое сопротивление. При этой конструкции радиаторов тепловой поток проходит по всему основанию


Рис. 28. Радиатор для маломощных транзисторов а-заготовка; б-вид сверху; в-радиатор с транзистором.

корпуса транзистора, затем по стенке крышки корпуса и только тогда попадает в радиатор. От этих недостатков свободна конструкция,

..те



Рис. 29 Установка маломощных транзисторов на радиаторы.

показанная на рис. 29. Здесь с целью уменьшения теплового сопротивления Rn. с радиатор крепится к основанию транзистора. Другая разновидность радиаторов подобного типа показана на рис. 30. В этой конструкции сочетаются первые два типа радиаторов. В этом случае на корпус транзистора напрессовывается металлическая пластинка толщиной 3-4 мм с резьбовыми отверстиями. Напильником или,шабером с основания транзистора снимаются краска и различные неровности. Затем транзистор становится основанием на радиа-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 [ 12 ] 13 14 15 16