www.chms.ru - вывоз мусора в Балашихе 

Динамо-машины  Конструкции радиаторов, полупроводниковые диоды 

1 2 3 4 5 [ 6 ] 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16


Рис. 12. Конструкции теплоотводящих радиаторов, й-пластинчатый; б-с продольным расположением ребер; в-с зигзагообразным расположением ребер; г-крыльчатый; д-звездообразный; е-ребристый; ж-штырьковый

целесообразно использовать для рассеяния небольших мощностей. Для уменьшения занимаемого места пластинчатым радиаторам придается различная конфигурация. Для отвода большого количества тепла пластинчатый радиатор непригоден из-за чрезмерного увеличения его размеров и малой эффективности. Основное достоинство пластинчатого радиатора-простота изготовления.

Из сложных конструкций радиаторов более распространены ребристые радиаторы (рис. 12, б-е). Они могут быть с вертикальным или горизонтальным расположением ребер, иметь круглую или прямоугольную форму. Прямоугольные ребристые радиаторы могут быть как с односторонним, так и с двусторонним оребрением.

Штырьковый радиатор (рис. 12, ж) сложнее в изготовлении, чем ребристый, однако он более эффективен в работе. Штырьковый радиатор изготовляется методом литья или фрезерования. Этот тип радиаторов работает эффективнее при горизонтальном расположении штырей. Делать такой радиатор в любительских условиях нецелесообразно.

Выбор того или другого типа радиатора и его конструкции определяется в каждом конкретном случае различными факторами: мощностью рассеивания, конструктивными требованиями к радиоэлектронному устройству, условиями эксплуатации устройства, а такжр возможностями радиолюбителя.



Расчет радиаторов начинают с определения поверхности Теплообмена 5р , которая зависит от мощности Р, рассеиваемой полупроводниковым прибором, разности температур Ор. с с между радиатором и окружающей средой и значения коэффициента теплоотдачи а.

Исходя из максимально допустимых значений температур р-п-перехода, мощности Р, рассеиваемой полупроводниковым прибором, и теплового сопротивления переход - корпус Rn. к для выбранного типа полупроводникового прибора, определяют максимально допустимую температуру корпуса jc-

к. ыякс - -Рп. к .

Для некоторых типов полупроводниковых приборов значения tn и tn приведены в табл. 7. В случае когда Rn.K неизвестна, величину к. макс можно принять равной 60 deg;С для германиевых и 100 deg;С для кремниевых полупроводниковых приборов.

Таблица 7

Значения предельных температур tn и t для некоторых полупроводниковых приборов

Тип прибора

in (kl deg;с

Тип прибора

ГТ402-ГТ4013Ж

КТ805А-КТ806Б \

neOi-П606

KT80i2A-КТ902А j

И607-П6Ш

КТ9ША-КТ90вБ

ГТ804А-ГТ804В

П4А-П4Д

П2№Б-П2ЮВ

КД202А-КД202Е

(130)

П302-ПЗОбЛ

Д242-Д242Б

(130)

KTeaiA

дзое-дзоб

(70)

КТ602А-ктбоег

ДЭ02А-ДЭОЭА

(.55)

КТв04А-КТ604Б \

Д22ЭВ-Д229Е

КТ6О5А-КТ606Б

КТ801А-КТ801Б

Мощность, рассеиваемая транзистором, в общем случае склады-вается из мощностей, рассеиваемых р-п-переходами:

Р - Рк + Рэ = /к t/к + h Us,

где напряжения коллектора С/к и эмиттера С/э измерены относительно базы.

Для транзисторов, работающих в усилительном режиме, при практических расчетах можно считать:



Мощность, рассеиваемая транзистором при работе в импульсном режиме, может быть ориентировочно определена из выражения

Р;*0,5Ук.э/кт + 0,ЗЗп/к

Т

где Uu. -, - иадепие напряжения на участке коллектор-эмиттер в режиме насыщения; 1 к гп - амплитуда тока коллектора; f/ -напряжение псточтжа птлппя; t - длительность фронта импульса; Т - период следования импульсов.

Разность температур Ок. р между корпусом полупроводникового прибора и радиатором находится по формуле

Ок.р- Pi?K.p.

Расчет средней температуры поверхности радиатора tg производится по формуле

ts = 0,96 [tn P(Rn. к + Rk. p)J .

Разность температур между поверхностью радиатора п окружа-юидей средой 6р. с определяется пз соотношения

Ор. с = tg -

Для ребристого радиатора значение величины Ор. с находится отдельно для наружных и внутренних поверхностен, т. е. учитывается увеличение (по сравнению с окружающей) температуры среды между 1)ебрами. Для наружных поверхностей значения р. с находятся по ранее приведенной формуле, а для внутренних поверхностей радиатора - по формуле

Ор. с = t. tj с ,

где f/c - температура среды между ребрами, deg;С. Величина г.- с определяется из выражения

ti с - ts - {t, - с) k ,

где /е - коэффпциепт, определяемый через вспомогательный коэффициент 1] п равный

ts-t,

г, = к, b

Здесь: b - расстояние между ребрами, мм; ki - коэффициент, учптываюп1,ий свойства окружаюш,ей среды при температуре = -0,5 {t., i tc) Значения коэффициента к\ приведены в табл. 8. Зависимость k от Tj представлена в табл. 9.

Таблица 8

Зависимость коэффициента /?i от

;,()

0,:!75

(),Г,СО

о,;;5о

0,3 !5

0,325

0,315

0,303

0,293

0,280

0,260

0,2.50

0,235

0,225



1 2 3 4 5 [ 6 ] 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16